參數(shù)資料
型號： 2N6348
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 晶閘管
英文描述： TRIACS Silicon Bidirectional Triode Thyristors
中文描述： 600 V, 8 A, TRIAC, TO-220AB
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 114K
代理商： 2N6348
2
Motorola Thyristor Device Data
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
*Thermal Resistance, Junction to Case
R
θ
JC
2.2
°
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TC = 25
°
C, and Either Polarity of MT2 to MT1 Voltage, unless otherwise noted.)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
*Peak Blocking Current
(VD = Rated VDRM, gate open) TJ = 25
°
C
TJ = 100
°
C
IDRM
—
—
—
—
10
2
μ
A
mA
*Peak On-State Voltage
(ITM = 11 A Peak; Pulse Width = 1 to 2 ms, Duty Cycle
Gate Trigger Current (Continuous dc)
(VD = 12 Vdc, RL = 100 Ohms)
(Minimum Gate Pulse Width = 2
μ
s)
MT2(+), G(+) All Types
MT2(+), G(–) 2N6346 thru 49
MT2(–), G(–) All Types
MT2(–), G(+) 2N6346 thru 49
*MT2(+), G(+); MT2(–), G(–) TC = –40
°
C All Types
*MT2(+), G(–); MT2(–), G(+) TC = –40
°
C 2N6346 thru 49
Gate Trigger Voltage (Continuous dc)
(VD = 12 Vdc, RL = 100 Ohms)
(Minimum Gate Pulse Width = 2
μ
s)
MT2(+), G(+) All Types
MT2(+), G(–) 2N6346 thru 49
MT2(–), G(–) All Types
MT2(–), G(+) 2N6346 thru 49
*MT2(+), G(+); MT2(–), G(–) TC = –40
°
C All Types
*MT2(+), G(–); MT2(–), G(+) TC = –40
°
C 2N6346 thru 49
(VD = Rated VDRM, RL = 10 k Ohms, TJ = 100
°
C)
*MT2(+), G(+); MT2(–), G(–) All Types
*MT2(+), G(–); MT2(–), G(–) 2N6346 thru 49
2%)
VTM
—
1.3
1.55
Volts
IGT
—
—
—
—
—
—
12
12
20
35
—
—
50
75
50
75
100
125
mA
VGT
—
—
—
—
—
—
0.2
0.2
0.9
0.9
1.1
1.4
—
—
—
—
2
2.5
2
2.5
2.5
3
—
—
Volts
*Holding Current
(VD = 12 Vdc, Gate Open)
(IT = 200 mA)
*Turn-On Time
(VD = Rated VDRM, ITM = 11 A, IGT = 120 mA,
Rise Time = 0.1
μ
s, Pulse Width = 2
μ
s)
TC = 25
°
C
*TC = –40
°
C
IH
—
—
6
—
40
75
mA
tgt
—
1.5
2
μ
s
Critical Rate of Rise of Commutation Voltage
(VD = Rated VDRM, ITM = 11 A, Commutating di/dt = 4.0 A/ms,
Gate Unenergized, TC = 80
°
C)
*Indicates JEDEC Registered Data.
dv/dt(c)
—
5
—
V/
μ
s
2.0
4.0
6.0
8.0
10
3.0
7.0
6.0
5.0
4.0
1.0
2.0
0
0
IT(RMS), RMS ON-STATE CURRENT (AMP)
α
α
dc
30
°
60
°
90
°
120
°
α
= 180
°
TJ
100
°
C
8.0
α
= CONDUCTION ANGLE
(
FIGURE 1 – RMS CURRENT DERATING
FIGURE 2 – ON-STATE POWER DISSIPATION
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
96
92
88
84
80
α
= CONDUCTION ANGLE
α
α
IT(RMS), RMS ON-STATE CURRENT (AMP)
100
8.0
0
dc
α
= 30
°
60
°
90
°
120
°
180
°
C
°
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N6349 TRIACS Silicon Bidirectional Triode Thyristors
2N6344AG Triacs Silicon Bidirectional Thyristors
2N6348AG Triacs Silicon Bidirectional Thyristors
2N6349AG Triacs Silicon Bidirectional Thyristors
2N6344A 12 Ampere RMS Silicon Bidirectional Thyristor(12A（均方根值）,600V硅雙向晶閘管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N6348A 功能描述:雙向可控硅 THY 12A 600V TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
2N6348AG 功能描述:雙向可控硅 雙向可控硅 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
2N6349 制造商:NJSEMI 制造商全稱:New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 功能描述:TO-220AB
2N6349A 功能描述:雙向可控硅 THY 12A 800V TRIAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
2N6349AG 功能描述:雙向可控硅 雙向可控硅 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
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