型號(hào): | 2N6288 |
廠商: | MOSPEC SEMICONDUCTOR CORP. |
英文描述: | POWER TRANSISTORS(7A,40W) |
中文描述: | 功率晶體管(第7A,功率40W) |
文件頁(yè)數(shù): | 4/4頁(yè) |
文件大?。?/td> | 171K |
代理商: | 2N6288 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
2N6292 | POWER TRANSISTORS(7A,40W) |
2N6298 | POWER TRANSISTORS(8A, 75W) |
2N6298 | DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
2N6299 | DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
2N6300 | DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
2N6288 LEDFREE | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Pwr SW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2N6288G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 7A 30V 40W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2N6289 | 制造商:NJSEMI 制造商全稱:New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 功能描述:MAXIMUM RATINGS, ABSOLUTE-MAXIMUM VALUOS |
2N629 | 制造商:NJSEMI 制造商全稱:New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 功能描述:GE PNP POWER BJT |
2N6290 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Power SW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |