型號(hào): | 2N6119 |
英文描述: | PROGRAMMABLE UNIJUNCTION TRANSISTOR|TO-18 |
中文描述: | 可編程單結(jié)晶體管|到18 |
文件頁數(shù): | 1/1頁 |
文件大?。?/td> | 29K |
代理商: | 2N6119 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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2N6198 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 35V V(BR)CEO | 2.5A I(C) | STX-8 |
B12-28 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 33V V(BR)CEO | 2.5A I(C) | STX-8 |
C3-28 | 2048-bit EEPROM tag IC at 13.56 MHz, with 64-bit UID and Password, ISO15693 and ISO18000-3 Mode 1 compliant |
C2M100-28 | HIGH EFFICIENCY ULTRAFAST DIODE |
C2M60-28 | Ultrafast recovery diode |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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2N6120 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:PROGRAMMABLE UNIJUNCTION TRANSISTOR|TO-18 |
2N6121 | 制造商:n/a 功能描述:2N6121 MOT N9H1D 制造商:Motorola Inc 功能描述:Bipolar Junction Transistor, NPN Type, TO-220AB |
2N6122 | 制造商:Harris Corporation 功能描述: |
2N6123 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Med Pwr RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2N6123 | 制造商:SPC Multicomp 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR NPN 80V TO-220 |