參數(shù)資料
型號： 2N6107
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 70 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 1/1頁
文件大小： 626K
代理商： 2N6107
Epitaxial-Base n-p-n and p-n-p Type Selection Charts (cont'd)
h
F E
'CEX" mA
V
CE
{sat)- - V
V
CE0
(sus )
V
CEX
(sus )
'c
V
C E
Temp.—°C
V
C E
'c
>B
V
A
V
25
V
A
2N5954 FAMILY (p-n-p) Medium Power, General Purpose (Con
Complementary to 2N6372 Family
JEDEC TO-66/TO-213MA
2N5954*
-80
-90
20-100
-2
-4
-0.1
-85
-1
-2
-0.2
40829"
-80
-90
20-100
-2
-4
-0.1
-85
-1
-2
-0.2
RCS30B
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—
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-1
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RCS30C
-100
—
15-150
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-4
-0.3*
-60
-0.7
-1
-0.125
RCS32C
-100
—
10-50
-3
-4
-0.5*
-30
-1.2
-3
-0.375
2 N6468
-120
-130
15-150
-1.5
-4
-0.1
-120
-1.2
-1.5
-0.15
2N6107 PLASTIC FAMILY (p
Complementary to 2N5298,
f
T
to 10 MHz min; P
T
to 70
n-p) Epitaxial Base,
2N5496, and 2N6292
W max
EC TO-220**
Package
41501
-25
-35*
25 min.
-1
-4
-0.25
A
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-1
-0.1
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TIP32
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—
10-50
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-30
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-55*
40 min.
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-4
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-1
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BD242
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-0.6
BD244
-45
-55*
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-0.3
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-30
-1.5
-6
-1
BD277
-45
—
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-2
-1 *
-30
-0.5
-1.75
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A
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30 min
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-80*
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-4
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-1
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BD240B
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<
-4
- u
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BD242B
-80
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-4
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BD244B
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-0.3
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-0.7*
-60
-1.5
-6
-1
* High-reliability version available on a custom basis
*V
C
ER<^* >
* ' CE R
ICE O
**TO-220A A Package
2N609 8
2N610 0
2N610 2
2N610 6
2N610 8
2N611 0
TO-220A B
2N6107
2N6109
2N6111
41501
BD24 0 Series
BD24 2 Series
BD24 4 Series
BD27 7 Series
Package:
RCA3 0
RCA30 A
RCA3 2
RCA32 A
TIP3 0
TIP30 A
TIP32
TIP32 A
相關PDF資料
PDF描述
2N6107 7 A, 70 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2N6111 7 A, 30 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2N6111 7 A, 30 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220
2N6123 4 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220
2N6122 4 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2N6107/D 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Complementary Silicon Plastic Power Transistors
2N6107_11 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:7 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 30 a?? 50 a?? 70 VOLTS, 40 WATTS
2N610716 制造商:Harris Corporation 功能描述:
2N6107G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 7A 70V 40W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6107NSC 制造商:National Semiconductor 功能描述:2N6107 S9G4B
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