參數(shù)資料
型號(hào): 2N6107-6261
廠商: HARRIS SEMICONDUCTOR
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 7 A, 70 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
文件頁數(shù): 2/9頁
文件大?。?/td> 483K
代理商: 2N6107-6261
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N6288-6206 7 A, 30 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AA
2N6111-6264 7 A, 30 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2N6473-6255 4 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2N6292-DR6280 7 A, 70 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2N6111-6263 7 A, 30 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N6107G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 7A 70V 40W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6107NSC 制造商:National Semiconductor 功能描述:2N6107 S9G4B
2N6107P2 制造商:Harris Corporation 功能描述:
2N6108 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
2N6109 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Med Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2