型號: | 2N6048 |
英文描述: | TRANSISTOR | BJT | NPN | 140V V(BR)CEO | 20A I(C) | TO-210AE |
中文描述: | 晶體管|晶體管| npn型| 140伏特五(巴西)總裁|甲一(c)|至210AE |
文件頁數(shù): | 1/1頁 |
文件大?。?/td> | 68K |
代理商: | 2N6048 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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2N6046 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 20A I(C) | TO-210AE |
2N5265 | TRANSISTOR | JFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 1MA I(DSS) | TO-72 |
2N5266 | 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset |
2N5267 | TRANSISTOR | JFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 3MA I(DSS) | TO-72 |
2N5268 | 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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2N6049 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT PNP 55V 4A 3PIN TO-66 - Bulk |
2N6049E | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO66 |
2N6050 | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 PNP Pwr Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
2N6050_12 | 制造商:COMSET 制造商全稱:Comset Semiconductor 功能描述:POWER COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS |
2N6050MOT87 | 制造商:Motorola 功能描述:2N6050 |