參數(shù)資料
型號(hào)： 2N6039
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 4 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 4/10頁
文件大?。?/td> 382K
代理商： 2N6039
2N6036, 2N6039
Electrical characteristics
Doc ID 5064 Rev 5
3/10
2
Electrical characteristics
(Tcase = 25 °C; unless otherwise specified)
Note:
For PNP types voltage and current values are negative.
Table 3.
Electrical characteristics
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
ICEV
Collector cut-off current
(VBE = -1.5 V)
VCE = 80 V
VCE = 80 V, Tc = 125 °C
-
0.1
0.5
mA
ICBO
Collector cut-off current
(IE = 0)
VCB = 80 V
-
0.1
mA
ICEO
Collector cut-off current
(IB = 0)
VCE = 80 V
-
0.1
mA
IEBO
Emitter cut-off current
(IC = 0)
VEB = 5 V
-
2
mA
VCEO(sus)
(1)
1.
Pulsed duration = 300 s, duty cycle 1.5%.
Collector-emitter
sustaining voltage
IC = 100 mA
80
-
V
VCE(sat)
(1)
Collector-emitter saturation
voltage
IC = 2 A
IB = 8 mA
-
2
V
IC = 4 A
IB = 40 mA
-
3
VBE(sat)
(1)
Base-emitter saturation
voltage
IC = 4 A
IB = 40 mA
-
4
V
VBE(on)
Base-emitter on voltage
IC = 2 A
VCE = 3 V
-
2.8
V
hFE
(1)
DC current gain
IC = 0.5 A_ _ VCE = 3 V
500
-
IC = 2 A_
VCE = 3 V
750
-
15000
IC = 4 A_ _
VCE = 3 V
100
-
hfe
Small signal current gain
IC = 0.75 A_
VCE = 10 V
f = 1 MHz
25
-
CCBO
Collector base capacitance
(IE = 0)
VCB = 10 V
f = 0.1 MHz
for 2N6036
for 2N6039
-
100
200
pF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N6039 4 A, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
2N6042 12 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220
2N6043 8 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2N6044 8 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
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