參數(shù)資料
型號： 2N6030
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 16 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 253K
代理商： 2N6030
2N5630 2N5631 2N6030 2N6031
4
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
V
CE
,COLLECT
OR–EMITTER
VOL
TAGE
(VOL
TS)
V
CE
,COLLECT
OR–EMITTER
VOL
TAGE
(VOL
TS)
1000
0.2
Figure 7. Capacitance
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
100
5.0
10
20
50
100
200
0.5
1.0
2.0
C,
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
700
500
300
200
TJ = 25°C
Cib
Cob
NPN
2N5630, 2N5631
2000
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
200
C,
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
700
500
300
TJ = 25°C
NPN
2N5630, 2N5631
1000
Figure 8. DC Current Gain
500
0.2
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
5.0
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0
3.0
5.0
20
200
70
30
10
300
100
h
FE
,DC
CURRENT
GAIN
TJ = 150°C
25
°C
– 55
°C
50
20
7.0
10
VCE = 2.0 V
VCE = 10 V
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
h
FE
,DC
CURRENT
GAIN
Figure 9. Collector Saturation Region
2.0
0.05
IB, BASE CURRENT (AMP)
0
0.07 0.1
0.2
0.3
0.5 0.7
1.0
2.0
5.0
1.2
0.8
0.4
IC = 4.0 A
TJ = 25°C
8.0 A
16 A
1.6
3.0
IB, BASE CURRENT (AMP)
0.2
5.0
10
20
50
100
200
0.5
1.0
2.0
Cib
Cob
500
0.2
5.0
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0
3.0
5.0
20
200
70
30
10
300
100
50
20
7.0
10
TJ = +150°C
+ 25
°C
– 55
°C
VCE = 2.0 V
VCE = 10 V
2.0
0.05
0
0.07 0.1
0.2
0.3
0.5 0.7
1.0
2.0
5.0
1.2
0.8
0.4
1.6
3.0
IC = 4.0 A
8.0 A
16 A
TJ = 25°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N5631 16 A, 140 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA
2N5633.MOD 10 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA
2N5634LEADFREE 10 A, 140 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3
2N5633LEADFREE 10 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3
2N5639RLRAG 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N6031 功能描述:兩極晶體管 - BJT 16A 140V 200W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6031G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 16A 140V 200W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6032 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 90V 50A 3PIN TO-3 - Bulk 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
2N6033 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Trans GP BJT NPN 120V 40A 3-Pin(2+Tab) TO-3 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 120V 40A 3PIN TO-3 - Bulk
2N6034 功能描述:達林頓晶體管 PNP Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*