型號(hào): | 2N5817 |
元件分類: | 小信號(hào)晶體管 |
英文描述: | 600 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
封裝: | PLASTIC, TO-92, 3 PIN |
文件頁(yè)數(shù): | 2/14頁(yè) |
文件大?。?/td> | 1160K |
代理商: | 2N5817 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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2N6545 | 8 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
2N3055C | 15 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
2N6546 | 15 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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2N5818 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Gen Pur SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2N5819 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Med Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2N582 | 制造商:n/a 功能描述:MIL-SPEC S6J1B |
2N5820 | 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS |
2N5821 | 制造商:undefined 功能描述: |