參數(shù)資料
型號: 2N5629
廠商: CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 功率晶體管
英文描述: COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
中文描述: 16 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3
封裝: TO-3, 2 PIN
文件頁數(shù): 1/1頁
文件大?。?/td> 67K
代理商: 2N5629
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA
Tel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824
相關PDF資料
PDF描述
2N6030 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
2N6033 Bipolar NPN Device
2N6033 HIGH CURRENT HIGH SPEED HIGH POWER TRANSISTORS
2N6033 HIGH CURRENT HIGH SPEED HIGH POWER TRANSISTORS
2N6033 NPN POWER SILICON TRANSISTOR
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2N5630 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 120V 16A 3PIN TO-3 - Bulk 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-3 NPN 120V 16A 200W BEC
2N5631 功能描述:兩極晶體管 - BJT 16A 140V 200W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5631/D 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:High-Voltage High-Power Transistors
2N5631G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 16A 140V 200W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5632 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 100V 10A 3PIN TO-3 - Bulk 制造商:Motorola Inc 功能描述: 制造商:Harris Corporation 功能描述: