參數(shù)資料
型號(hào)： 2N5566
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Matched N-Channel JFET Pairs(最小柵源擊穿電壓-40V，柵極工作電流-3pA的N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： 匹配N溝道場(chǎng)效應(yīng)對(duì)（最小柵源擊穿電壓- 40V的，柵極工作電流，3pA的N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管）
文件頁數(shù)： 5/5頁
文件大小： 47K
代理商： 2N5566
2N5564/5565/5566
Siliconix
P-37406—Rev. C, 25-Jul-94
5
Typical Characteristics (Cont’d)
Common-Gate Forward Admittance
Common-Gate Reverse Admittance
100
10
1
0.1
100
1000
200
500
(
–g
fg
b
fg
g
fg
V
DG
= 15 V
I
D
= 10 mA
T
A
= 25 C
10
1
0.1
0.01
100
1000
200
500
V
DG
= 15 V
I
D
= 10 mA
T
A
= 25 C
–g
rg
–b
rg
+g
rg
(
f – Frequency (MHz)
f – Frequency (MHz)
Common-Gate Output Admittance
100
10
1
0.1
100
1000
200
500
(
V
DG
= 15 V
I
D
= 10 mA
T
A
= 25 C
g
og
b
og
f – Frequency (MHz)
Noise Voltage vs. Frequency
100
10
1
10
100
1 k
100 k
10 k
I
D
= 1 mA
I
D
= 10 mA
V
DS
= 15 V
f – Frequency (Hz)
Transconductance vs. Drain Current
100
10
1
0.1
1.0
10
I
D
– Drain Current (mA)
g
f
T
A
= –55 C
25 C
125 C
Output Conductance vs. Drain Current
1000
100
10
0.1
1.0
10
I
D
– Drain Current (mA)
T
A
= –55 C
25 C
125 C
V
DS
= 15 V
f = 1 kHz
V
GS(off)
= –2 V
V
DS
= 15 V
f = 1 kHz
V
GS(off)
= –2 V
S
g
–
(
e
n
/
√
)
–
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N5633 SILICON POWER TRANSISTOR
2N5634 SILICON POWER TRANSISTOR
2N6229 SILICON POWER TRANSISTOR
2N6231 SILICON POWER TRANSISTOR
2N5633 Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N5566-2 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:TRANS JFET N-CH 6PIN TO-71 - Bulk
2N5566-E3 功能描述:JFET 40V 5mA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel
2N5567 制造商:NJSEMI 制造商全稱:New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 功能描述:TRIACS BIDIRECTIONAL TRIODE THYRISTORS
2N5568 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:BIDIRECTIONAL TRIODE THYRISTORS
2N5569 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:BIDIRECTIONAL TRIODE THYRISTORS
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