參數(shù)資料
型號(hào)： 2N5551RLRB
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 600 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大小： 128K
代理商： 2N5551RLRB
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N5550RLRE 600 mA, 140 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N5551RL 600 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N5551RLRP 600 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N5551 600 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N5551 600 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
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參數(shù)描述
2N5551RLRM 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 180V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5551RLRMG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 180V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5551RLRP 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 180V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5551RLRPG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 180V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5551S 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
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