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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2N5545 |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | Monolithic Dual N-Channel JFET(最小柵源擊穿電壓-50V，最大柵極工作電流-50pA的雙N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管) |
| 中文描述： | 單片雙N溝道場(chǎng)效應(yīng)（最小柵源擊穿電壓- 50V的最大柵極工作電流，50pA的的雙?溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管） |
| 文件頁數(shù)： | 5/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 75K |
| 代理商： | 2N5545 |
2N5545/46/47/JANTX/JANTXV
Siliconix
P-37514—Rev. B, 25-Jul-94
5
Typical Characteristics (Cont’d)
Common-Source Input Capacitance
vs. Gate-Source Voltage
10
100
1 k
100 k
10 k
10
0
–12
–16
–20
–8
–4
8
6
4
2
0
V
GS
– Gate-Source Voltage (V)
–
C
i
V
DS
= 0 V
5 V
f = 1 MHz
5
0
–12
–20
–16
–8
–4
4
3
2
1
0
Common-Source Reverse Feedback
Capacitance vs. Gate-Source Voltage
–
C
r
V
GS
– Gate-Source Voltage (V)
V
DS
= 0 V
5 V
15 V
f = 1 MHz
16
12
8
4
0
20
Equivalent Input Noise Voltage vs. Frequency
f – Frequency (Hz)
V
DS
= 10 V
I
D
@ 200 A
V
GS
= 0 V
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0.01
0.1
1
Output Conductance vs. Drain Current
I
D
– Drain Current (mA)
T
A
= –55 C
125 C
0.01
0.1
1
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
Common-Source Forward Transconductance
vs. Drain Current
I
D
– Drain Current (mA)
g
f
T
A
= –55 C
125 C
1 k
0
–3
–5
–4
–2
–1
800
600
400
200
0
10
8
6
4
2
0
On-Resistance and Output Conductance
vs. Gate-Source Cutoff Voltage
V
GS(off)
– Gate-Source Cutoff Voltage (V)
r
DS
@ I
D
= 100 A, V
GS
= 0 V
g
os
@ V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V, f = 1 kHz
r
DS
g
os
25 C
25 C
V
GS(off)
= –2 V
V
DS
= 15 V
f = 1 kHz
V
GS(off)
= –2 V
V
DS
= 15 V
f = 1 kHz
15 V
(
e
n
/
√
)
–
r
D
–
)
S
g
–
S
g
–
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PDF描述 |
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