參數(shù)資料
型號： 2N5428A
英文描述： BJT
中文描述： 雙極型晶體管
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 18K
代理商： 2N5428A
2N5428A
MEDIUM POWER
NPN SILICON
TRANSISTOR
Designed for switching and
wide - band amplifier
applications
V
CEO
V
CB
V
EB
I
C
I
B
P
D
Collector - emitter voltage
Collector - base voltage
Emitter - base voltage
Collector current – continuous
Base current
Total device dissipation at T
case
= 25°C
Derate above 25°C
T
j
T
stj
R
q
J C
Operating and
storage junction temperature range
Thermal resistance, junction to case.
80 V
80 V
6 V
7 A
1 A
40 W
228 mW / °C
4.37 °C / W
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm
TO66 Package.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(Tcase=25°C unless otherwise stated)
-65 to 200°C
2
2
1
1
3.68
(0.145) rad.
max.
3.61 (0.142)
3.86 (0.145)
rad.
0
0
1.27 (0.050)
1.91 (0.750)
9.14 (0.360)
min.
4.83 (0.190)
5.33 (0.210)
6.35 (0.250)
8.64 (0.340)
1
1
Prelim. 7/93
Semelab plc.
Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.
E-mail:
sales@semelab.co.uk
http://www.semelab.co.uk
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PDF描述
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