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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2N5401RM |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 600 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | TO-92, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 8/14頁(yè) |
| 文件大小： | 512K |
| 代理商： | 2N5401RM |
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Typical Characteristics
Collector-Emitter Breakdown
Voltage with Resistance
Between Emitter-Base
0.1
1
10
100
1000
170
180
190
200
210
220
RESISTANCE (k )
BV
-BR
E
A
KD
OW
N
V
O
L
T
A
G
E
(
V
)
CE
R
Typical Pulsed Current Gain
vs Collector Current
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
0
50
100
150
200
I
- COLLECTOR CURRENT (A)
h
-
TY
P
IC
A
L
P
U
LS
E
D
C
U
R
E
N
T
G
A
IN
FE
- 40 °C
25 °C
C
V
= 5V
CE
125 °C
Collector-Emitter Saturation
Voltage vs Collect or Current
0.1
1
10
100
0
0.1
0.2
0.3
0.4
I
- COLLECTOR CURRENT (mA)
V
-
C
O
L
E
C
T
O
R
-E
M
IT
T
E
R
V
O
L
T
A
G
E
(
V
)
C
ESA
T
C
β = 10
125 °C
- 40 °C
25 °C
Base-Emitt er ON Voltage vs
Collector Current
0.1
1
10
100
0.2
0.4
0.6
0.8
1
I
- COLLECTOR CURRENT (mA)
V
-
B
A
SE
-E
M
IT
T
ER
O
N
VO
L
T
A
G
E
(
V
)
BE
(O
N)
125 °C
- 40 °C
25 °C
C
V
= 5V
CE
Base-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
0.1
1
10
100
0.2
0.4
0.6
0.8
1
I
- COLLECTOR CURRENT ( mA)
V
-
BA
S
E
-E
M
IT
T
E
R
V
O
L
T
A
G
E
(
V
)
BE
S
A
T
C
β = 10
125 °C
- 40 °C
25 °C
Collector-Cutoff Current
vs Ambient Temperature
25
50
75
100
125
150
0.1
1
10
100
T
- AM BIENT TE MPE RATURE ( C)
I
-
C
O
L
E
C
T
O
R
CU
RRE
N
T
(n
A)
A
V
= 10 0V
CB
°
CBO
2N5401
/
MMBT5401
PNP General Purpose Amplifier
(continued)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N5457RLRF | 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92 |
| 2N5457RL | 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92 |
| 2N5457RLRP | 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92 |
| 2N5457RLRE | 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92 |
| 2N5457RLRA | 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2N5401S | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, HIGH VOLTAGE) |
| 2N5401S_99 | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR |
| 2N5401-T | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 0.6A 150V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5401T/R | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:300 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N5401TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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