參數(shù)資料
型號(hào)： 2N5401RLRP
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 600 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： CASE 29-11, TO-226AA, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 149K
代理商： 2N5401RLRP
2N5401
http://onsemi.com
66
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted) (Continued)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
ON CHARACTERISTICS(1)
DC Current Gain
(IC = 1.0 mAdc, VCE = 5.0 Vdc)
(IC = 10 mAdc, VCE = 5.0 Vdc)
(IC = 50 mAdc, VCE = 5.0 Vdc)
hFE
50
60
50
—
240
—
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = 10 mAdc, IB = 1.0 mAdc)
(IC = 50 mAdc, IB = 5.0 mAdc)
VCE(sat)
—
0.2
0.5
Vdc
Base–Emitter Saturation Voltage
(IC = 10 mAdc, IB = 1.0 mAdc)
(IC = 50 mAdc, IB = 5.0 mAdc)
VBE(sat)
—
1.0
Vdc
SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS
Current–Gain — Bandwidth Product
(IC = 10 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 100 MHz)
fT
100
300
MHz
Output Capacitance
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)
Cobo
—
6.0
pF
Small–Signal Current Gain
(IC = 1.0 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz)
hfe
40
200
—
Noise Figure
(IC = 250 Adc, VCE = 5.0 Vdc, RS = 1.0 k, f = 1.0 kHz)
NF
—
8.0
dB
1. Pulse Test: Pulse Width = 300
ms, Duty Cycle = 2.0%.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N6426RL1 500 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N6426RLRM 500 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SC3569 2 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SC3569-L 2 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SC3569-K 2 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N5401RM 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5401S 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, HIGH VOLTAGE)
2N5401S_99 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR
2N5401-T 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 0.6A 150V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5401T/R 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:300 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
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