參數(shù)資料
型號(hào): 2N5401RL
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: 小信號(hào)晶體管
英文描述: 600 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝: CASE 29-11, TO-226AA, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù): 3/4頁(yè)
文件大小: 149K
代理商: 2N5401RL
2N5401
http://onsemi.com
67
Figure 1. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
30
100
150
200
0.1
h
,CURRENT
GAIN
0.5
2.0
3.0
10
0.2
0.3
20
1.0
5.0
FE
TJ = 125°C
25°C
-55°C
70
50
20
30
50
100
VCE = -1.0 V
VCE = -5.0 V
Figure 2. Collector Saturation Region
IB, BASE CURRENT (mA)
1.0
0.1
0.5
2.0
10
0.2
1.0
5.0
20
50
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0.005
0.01
0.02
0.05
Figure 3. Collector Cut–Off Region
VBE, BASE-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
V CE
,COLLECTOR-EMITTER
VOL
TAGE
(VOL
TS)
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
I C
103
0.1
0.3
0.2
102
101
100
10-1
10-2
10-3
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
IC = 1.0 mA
10 mA
30 mA
100 mA
VCE = 30 V
IC = ICES
TJ = 125°C
75°C
25°C
REVERSE
FORWARD
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PDF描述
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2N5401/D74Z-J18Z 200 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2N5401 200 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N5401-J61Z 200 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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2N5401RL1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 160V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5401RLRA 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 160V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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