參數(shù)資料
型號(hào): 2N5400M1TA
廠商: DIODES INC
元件分類: 小信號(hào)晶體管
英文描述: 600 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: TO-92 STYLE, E-LINE PACKAGE-3
文件頁數(shù): 1/1頁
文件大小: 51K
代理商: 2N5400M1TA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N5400K 600 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2N5551STOA 600 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2N5401M1TC 600 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2N5400STOA 600 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2N5550M1TC 600 mA, 140 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N5400RA 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5400RLRP 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 130V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5400RLRPG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 130V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5400S 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR
2N5400S_99 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR