參數(shù)資料
型號(hào)： 2N5307D74Z
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 1200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
文件頁(yè)數(shù)： 2/7頁(yè)
文件大?。?/td> 293K
代理商： 2N5307D74Z
2N5307
NPN Darlington Transistor
(continued)
Electrical Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
OFF CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
V(BR)CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage*
IC =10 mA, IB = 0
40
V
V(BR)CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
IC = 0.1
A, I
E = 040V
V(BR)EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
IE = 0.1
A, I
C = 0
12
V
ICBO
Collector Cutoff Current
VCB = 40 V, IE = 0
VCB = 40 V, IE = 0, TA = 100
°C
0.1
20
A
IEBO
Emitter Cutoff Current
VEB = 12 V, IC = 0
0.1
A
ON CHARACTERISTICS*
hFE
DC Current Gain
VCE = 5.0 V, IC = 2.0 mA
VCE = 5.0 V, IC = 100 mA
2,000
6,000
20,000
VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
IC = 200 mA, IB = 0.2 mA
1.4
V
VBE(sat)
Base-Emitter Saturation Voltage
IC = 200 mA, IB = 0.2 mA
1.6
V
VBE(on)
Base-Emitter On Voltage
IC = 200 mA, VCE = 5.0 V
1.5
V
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
Ccb
Collector-Base Capacitance
VCB = 10 V, f = 1.0 MHz
10
pF
hfe
Small-Signal Current Gain
IC =2.0 mA, VCE = 5.0 V,
f = 1.0 kHz
IC =2.0 mA, VCE = 5.0 V,
f = 10 MHz
2,000
6.0
*Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 s, Duty Cycle ≤ 2.0%
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PDF描述
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