型號(hào): | 2N5301 |
廠商: | ADVANCED SEMICONDUCTOR INC |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | 30 A, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
封裝: | TO-3, 2 PIN |
文件頁數(shù): | 2/2頁 |
文件大小: | 129K |
代理商: | 2N5301 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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2N5321 | 2 A, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-39 |
2N5302 | 30 A, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
2N5189 | 2000 mA, 55 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 |
2N243 | 60 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2N5210/D74Z-J18Z | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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2N5301 | 制造商:SPC Multicomp 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR NPN 40V TO-3 |
2N5301_TO-18 | 制造商:MICROSS 制造商全稱:MICROSS 功能描述:a very High Input Impedance N-Channel JFET amplifier |
2N5301_TO-72 | 制造商:MICROSS 制造商全稱:MICROSS 功能描述:a very High Input Impedance N-Channel JFET amplifier |
2N5302 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 30A 60V 200W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2N5302/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:High-Power NPN Silicon Transistor |