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參數(shù)資料
| 型號： | 2N5210RL |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 50 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 12/35頁 |
| 文件大小： | 413K |
| 代理商： | 2N5210RL |
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2N5209 2N5210
2–52
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted) (Continued)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain
(IC = 100 Adc, VCE = 5.0 Vdc)
2N5209
2N5210
(IC = 1.0 mAdc, VCE = 5.0 Vdc)
2N5209
2N5210
(IC = 10 mAdc, VCE = 5.0 Vdc)(1)
2N5209
2N5210
hFE
100
200
150
250
150
250
300
600
—
Collector – Emitter Saturation Voltage
(IC = 10 mAdc, IB = 1.0 mAdc)
VCE(sat)
—
0.7
Vdc
Base – Emitter On Voltage
(IC = 1.0 mAdc, VCE = 5.0 mAdc)
VBE(on)
—
0.85
Vdc
SMALL– SIGNAL CHARACTERISTICS
Current – Gain — Bandwidth Product
(IC = 500 Adc, VCE = 5.0 Vdc, f = 20 MHz)
fT
30
—
MHz
Collector–Base Capacitance
(VCB = 5.0 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)
Ccb
—
4.0
pF
Small–Signal Current Gain
(IC = 1.0 mAdc, VCE = 5.0 Vdc, f = 1.0 kHz)
2N5209
2N5210
hfe
150
250
600
900
—
Noise Figure
(IC = 20 Adc, VCE = 5.0 Vdc, RS = 22 k,
2N5209
f = 1.0 kHz)
2N5210
(IC = 20 Adc, VCE = 5.0 Vdc, RS = 10 k,
2N5209
f = 1.0 kHz)
2N5210
NF
—
3.0
2.0
4.0
3.0
dB
1. Pulse Test: Pulse Width = 300
ms, Duty Cycle = 2.0%.
RS
in
en
IDEAL
TRANSISTOR
Figure 1. Transistor Noise Model
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N5209RLRE | 50 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N5209RLRA | 50 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N5210RLRM | 50 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N5210RLRAG | 50 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N5239 | 5 A, 225 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2N5210RLRA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50mA 50V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5210TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5210TAR | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5210TAR_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5210TF | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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