參數(shù)資料
型號(hào)： 2N5210L34Z
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
文件頁數(shù)： 7/11頁
文件大?。?/td> 570K
代理商： 2N5210L34Z
Typical Characteristics (continued)
Contours of Constant
Narrow Band Noise Figure
1
10
100
1,000
100
200
500
1,000
2,000
5,000
10,000
I
- COLLECTOR CURRENT (
A)
R
-
SOU
R
C
E
R
E
SI
ST
ANC
E
(
)
C
S
V
= 5.0 V
f = 1.0 kHz
BANDWIDTH
= 200 Hz
CE
6.0 dB
3.0 dB
4.0 dB
8.0 dB
2.0 dB
Contours of Constant
Narrow Band Noise Figure
1
10
100
1,000
100
200
500
1,000
2,000
5,000
10,000
I
- COLLECTOR CURRENT (
A)
R
-SO
U
R
C
E
R
E
SI
ST
A
N
C
E
(
)
C
S
V
= 5.0 V
f = 100 Hz
BANDWIDTH
= 20 Hz
CE
3.0 dB
4.0 dB
8.0 dB
10 dB
12 dB
14 dB
6.0 dB
Contours of Constant
Narrow Band Noise Figure
1
10
100
1000
100
200
500
1000
2000
5000
10000
I - COLLECTOR CURRENT ( A)
R
-
S
O
UR
CE
R
E
SI
S
T
A
N
C
E
(
)
6.0 dB
3.0 dB
4.0 dB
8.0 dB
2.0 dB
1.0 dB
C
V
= 5.0V
f = 10kHz
BANDWIDTH
= 2.0kHz
CE
S
Contours of Constant
Narrow Band Noise Figure
0.01
0.1
1
10
100
200
500
1000
2000
5000
10000
I - COLLECTOR CURRENT ( A)
R
-S
O
U
R
C
E
RES
IS
T
AN
CE
(
)
7.0 dB
3.0 dB
4.0 dB
8.0 dB
2.0 dB
5.0
dB
C
V
=
5.0V
CE
S
f = 1.0 MHz
BANDWIDTH
= 200kHz
6.0
dB
NPN General Purpose Amplifier
(continued)
2
N5
21
0
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N5210D75Z 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
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2N5240 50 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3
2N5245 Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET
2N5248 Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-92
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參數(shù)描述
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2N5210RLRA 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50mA 50V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5210TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5210TAR 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5210TAR_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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