- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄41433 > 2N5210J18Z (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | 2N5210J18Z |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | TO-92, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 5/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 570K |
| 代理商： | 2N5210J18Z |
Typical Characteristics
Collector-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
0.1
1
10
100
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
V
-
C
O
LLE
C
T
O
R
-E
M
ITT
ER
V
O
L
T
A
G
E
(V
)
C
CE
S
A
T
25 °C
- 40 °C
125 °C
β = 10
Base-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
0.1
1
10
100
0.2
0.4
0.6
0.8
1
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
V
-
C
O
LLEC
T
O
R
-E
M
ITT
E
R
V
O
L
T
A
G
E
(V
)
C
BE
S
A
T
β = 10
25 °C
- 40 °C
125 °C
Base-Emitter ON Voltage vs
Collector Current
0.1
1
10
40
0.2
0.4
0.6
0.8
1
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
V
-
B
A
S
E
-E
MI
T
E
R
O
N
V
O
L
T
A
G
E
(
V
)
C
BE
O
N
V
= 5.0 V
CE
25 °C
- 40 °C
125 °C
Typical Pulsed Current Gain
vs Collector Current
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
0
200
400
600
800
1000
1200
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
h
-TYPI
C
A
L
PUL
SED
C
U
R
E
N
T
G
A
IN
C
FE
125 °C
25 °C
- 40 °C
V
= 5.0 V
CE
Collect or-Cutoff Current
vs Ambient Temperature
25
50
75
100
125
150
0.1
1
10
T - AMBIE NT TEMP ERATURE ( C)
I
-C
O
L
E
C
T
O
R
CU
RR
E
N
T
(
n
A)
A
CBO
V
= 45V
°
CB
NPN General Purpose Amplifier
(continued)
2
N5210
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N5240 | 50 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 2N5245 | Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET |
| 2N5248 | Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-92 |
| 2N5302 | 30 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 2N3771 | 30 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2N5210NMBU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5210RLRA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50mA 50V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5210TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5210TAR | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5210TAR_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。