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參數資料
| 型號： | 2N5193 |
| 廠商： | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | PNP SILICON TRANSISTOR GENERAL PURPOSE POWER |
| 中文描述： | 4 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 60K |
| 代理商： | 2N5193 |
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA
Tel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N5194 | PNP SILICON TRANSISTOR GENERAL PURPOSE POWER |
| 2N5196 | Monolithic N-Channel JFET Duals |
| 2N5197 | Monolithic N-Channel JFET Duals |
| 2N5198 | Monolithic N-Channel JFET Duals |
| 2N5199 | Monolithic N-Channel JFET Duals |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N5193 | 制造商:SPC Multicomp 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR PNP -40V 制造商:SPC Multicomp 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -40V |
| 2N5193_09 | 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:PNP SILICON POWER TRANSISTORS |
| 2N5194 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 4A 60V 40W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5194/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Silicon PNP Power Transistors |
| 2N5194_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Silicon PNP Power Transistors |
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