參數(shù)資料
型號(hào)： 2N5192
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon NPN Power Transistor(4A,40W,80V（集電極-發(fā)射極）,硅NPN功率晶體管)
中文描述： 4 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-225AA
封裝： CASE 77-09, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大?。?/td> 102K
代理商： 2N5192
2N5191 2N5192
http://onsemi.com
3
R
2.0
0.005
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMP)
Figure 3. “On” Voltages
0.01 0.02 0.03 0.05
0.20.3
1.0
2.0
4.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
T
J
= 25
°
C
V
BE(sat)
@ I
C
/I
B
= 10
V
CE(sat)
@ I
C
/I
B
= 10
0.1
0.5
3.0
V
BE
@ V
CE
= 2.0 V
+2.5
Figure 4. Temperature Coefficients
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMP)
T
J
= -65
°
C to +150
°
C
V
θ
°
+2.0
+1.5
+0.5
0
-0.5
-1.0
-1.5
-2.0
-2.5
θ
V
for V
BE
*
θ
V
for V
CE(sat)
*APPLIES FOR I
C
/I
B
≤
hFE@VCE
2.0V
2
+1.0
0.005
0.01 0.02 0.03 0.05
0.2 0.3
1.0
2.0
4.0
0.1
0.5
3.0
10
3
-0.4
Figure 5. Collector Cut–Off Region
V
BE
, BASE-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
10
2
10
1
10
0
10
-1
10
-2
10
-3
-0.3
-0.2
-0.1
0
+0.1
+0.2 +0.3
+0.4 +0.5
+0.6
V
CE
= 30 V
T
J
= 150
°
C
100
°
C
25
°
C
REVERSE
FORWARD
I
CES
10
7
20
Figure 6. Effects of Base–Emitter Resistance
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
40
60
80
100
120
140
160
10
6
10
5
10
4
10
3
10
2
V
CE
= 30 V
I
C
= 10 x I
CES
I
C
= 2 x I
CES
I
C
≈
I
CES
(TYPICAL I
CES
VALUES
OBTAINED FROM FIGURE 5)
Figure 7. Switching Time Equivalent Test Circuit
APPROX
+11 V
TURN-ON PULSE
V
in
t
1
V
EB(off)
TURN-OFF PULSE
V
in
t
3
t
2
APPROX
+11 V
V
CC
SCOPE
R
B
C
jd
<<C
eb
-4.0 V
t
1
≤
7.0 ns
100 < t
2
< 500
μ
s
t
3
< 15 ns
DUTY CYCLE
≈
2.0%
APPROX -9.0 V
V
in
R
C
0
R
B
and R
C
varied
to obtain desired
current levels
300
0.1
V
R
, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 8. Capacitance
0.2 0.3
0.5
1.0
3.0
5.0
20
40
200
100
70
50
30
T
J
= +25
°
C
C
2.0
10
30
C
eb
C
cb
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