參數(shù)資料
型號： 2N5172D26Z
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 500 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
文件頁數(shù)： 2/7頁
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代理商： 2N5172D26Z
2N5172
NPN General Purpose Amplifier
(continued)
Electrical Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
OFF CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
V(BR)CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage*
IC = 10 mA, IB = 025V
V(BR)CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
IC = 10
A, I
E = 0
25
V
V(BR)EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
IE = 10
A, I
C = 0
5.0
V
ICBO
Collector Cutoff Current
VCB = 25 V, IE = 0
100
nA
IEBO
Emitter Cutoff Current
VEB = 5.0 V, IC = 0
100
nA
ON CHARACTERISTICS*
hFE
DC Current Gain
VCE = 10 V, IC = 10 mA
100
500
VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
IC = 10 mA, IB = 1.0 mA
0.25
V
VBE(on)
Base-Emitter On Voltage
VCE = 10 V, IC = 10 mA
0.5
1.2
V
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
Ccb
Collector- Base Capacitance
VCB = 10 V, f = 1.0 MHz
1.6
10
pF
hfe
Small-Signal Current Gain
IC = 10 mA, VCE = 10 V,
f = 1.0 kHz
100
750
*Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 s, Duty Cycle ≤ 2.0%
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PDF描述
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