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參數(shù)資料
| 型號： | 2N5089RL |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 50 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 18/24頁 |
| 文件大?。?/td> | 417K |
| 代理商： | 2N5089RL |
2N5088 2N5089
2–49
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Figure 2. Effects of Frequency
f, FREQUENCY (Hz)
7.0
10
20
30
5.0
Figure 3. Effects of Collector Current
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 4. Noise Current
f, FREQUENCY (Hz)
Figure 5. Wideband Noise Figure
RS, SOURCE RESISTANCE (OHMS)
3.0
10
NOISE CHARACTERISTICS
(VCE = 5.0 Vdc, TA = 25°C)
NOISE VOLTAGE
e
n
,NOISE
V
OL
TA
G
E
(nV
)
e
n
,NOISE
VOL
TAGE
(nV)
I n
,NOISE
C
U
RRENT
(p
A)
NF
,NOISE
FIGURE
(dB)
20
50 100 200
500 1 k 2 k
5 k 10 k 20 k
50 k 100 k
BANDWIDTH = 1.0 Hz
IC = 10 mA
300
A
30
A
RS ≈ 0
3.0 mA
1.0 mA
7.0
10
20
30
5.0
3.0
0.01 0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
RS ≈ 0
f = 10 Hz
100 Hz
1.0 kHz
10 kHz
100 kHz
IC = 10 mA
3.0 mA
1.0 mA
300
A
100
A
10
A
RS ≈ 0
10
20
50 100 200
500 1 k 2 k
5 k 10 k 20 k
50 k 100 k
0.1
0.2
0.3
1.0
0.7
2.0
3.0
5.0
7.0
10
20
50 100 200
500 1 k 2 k
5 k 10 k 20 k 50 k 100 k
0
4.0
8.0
12
16
20
BANDWIDTH = 10 Hz to 15.7 kHz
IC = 1.0 mA
500
A
100
A
10
A
100 Hz NOISE DATA
300
200
100
3.0
5.0
7.0
10
20
30
50
70
RS, SOURCE RESISTANCE (OHMS)
10
20
50 100 200
500 1 k 2 k
5 k 10 k 20 k 50 k 100 k
V
T
,TO
TA
L
NOISE
V
OL
TA
G
E
(nV
)
NF
,NOISE
FIGURE
(dB)
0
4.0
8.0
12
16
20
Figure 6. Total Noise Voltage
BANDWIDTH = 1.0 Hz
IC = 10 mA
3.0 mA
1.0 mA
300
A
100
A
30
A
10
A
10
20
50 100 200
500 1 k
2 k
5 k 10 k 20 k 50 k 100 k
IC = 10 mA
300
A
100
A
30
A
3.0 mA
1.0 mA
10
A
BANDWIDTH = 1.0 Hz
RS, SOURCE RESISTANCE (OHMS)
Figure 7. Noise Figure
0.5
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N5088ZL1 | 50 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N5088RL | 50 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N5089RLREG | 50 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N5089RLRM | 50 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N5089 | 50 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2N5089RLRA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50mA 30V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5089RLRAG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50mA 30V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5089RLRE | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50mA 30V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5089RLREG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50mA 30V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5089RLRM | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
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