參數(shù)資料
型號： 2N5031
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
中文描述： UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-72
封裝： M244, 4 PIN
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大小： 83K
代理商： 2N5031
MSC1303.PDF 10-25-99
2N5031
FUNCTIONAL
Symbol
Test Conditions
Value
Typ.
Min.
Max.
Unit
G
U max
Maximum Unilateral Gain (1)
IC = 1 mAdc, VCE = 6Vdc,
f = 400 MHz
-
12
-
dB
MAG
Maximum Available Gain
IC = 1 mAdc, VCE = 6Vdc,
f = 400 MHz
-
12.4
-
dB
Table 1. Common Emitter S-Parameters, @ VCE = 10 V, IC = 50 mA
f
(MHz)
100
S11
S21
S12
S22
|S11|
.610
∠ φ
-137
|S21|
23.8
∠ φ
116
|S12|
.026
∠ φ
46
|S22|
.522
∠ φ
-78
200
.659
-161
13.2
98
.033
47
.351
-106
300
.671
-171
9.0
89
.040
51
.304
-120
400
.675
-178
6.8
83
.047
55
.292
-128
500
.677
176
5.5
77
.055
58
.293
-132
600
.678
172
4.6
72
.064
61
.299
-134
700
.677
168
4.0
68
.073
62
.306
-135
800
.679
184
3.5
64
.082
63
.314
-136
900
.678
160
3.1
60
.092
64
.322
-138
1000
.682
156
2.8
56
.102
65
.311
-139
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N5039 NPN Silicon power Transistor(20A，140W，硅NPN功率晶體管)
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DTL1645 TRANSISTOR | BJT | NPN | 125V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-66
DTL1646 TRANSISTOR | BJT | NPN | 150V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-66
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