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參數(shù)資料
| 型號： | 2N4401T93 |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | SC-43, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大小： | 91K |
| 代理商： | 2N4401T93 |
UMT4401 / SST4401 / MMST4401 / 2N4401
Transistors
1
10
100
1000
0.8
1.2
1.8
1.6
0.4
0
BASE
EMITTER
VOLTAGE
:
V
BE(ON)
(V)
COLLECTOR CURRENT : Ic(mA)
Ta
=25°C
VCE
=10V
Fig.7 Grounded emitter propagation
characteristics
1.0
10
100
1000
100
1000
10
TURN
ON
TIME
:
ton
(ns)
COLLECTOR CURRENT : Ic
(mA)
Ta
=25°C
IC / IB
=10
VCC
=30V
10V
Fig.8 Turn-on time vs. collector
current
1.0
10
100
1000
100
500
5
10
RISE
TIME
:
tr
(ns)
COLLECTOR CURRENT : Ic
(mA)
Ta
=25°C
VCC
=30V
IC / IB
=10
Fig.9 Rise time vs. collector
current
1.0
10
100
1000
100
1000
10
STORAGE
TIME
:
ts
(ns)
COLLECTOR CURRENT : Ic(mA)
Ta
=25°C
VCC
=30V
IC
=10IB1=10IB2
Fig.10 Storage time vs. collector
current
1.0
10
100
1000
100
1000
10
FALL
TIME
:
tf(ns)
COLLECTOR CURRENT : Ic(mA)
Ta
=25°C
VCC
=30V
IC
=10IB1=10IB2
Fig.11 Fall time vs. collector
current
0.1
1.0
10
100
10
100
1
CAPACITANCE
(pF)
REVERSE BIAS VOLTAGE(V)
Ta
=25°C
f
=1MHz
Cib
Cob
Fig.12 Input / output capacitance
vs. voltage
1
10
100
1000
10
1
100
0.1
COLLECTOR-EMITTER
VOLTAGE
:
V
CE
(V)
COLLECTOR CURRENT : Ic(mA)
Ta
=25°C
100MHz
200MHz
250MHz 300MHz
250MHz
Fig.13 Gain bandwidth product
1.0
10
100
1000
100
1000
10
CURRENT
GAIN-BANDWIDTH
PRODUCT
(MHz)
COLLECTOR CURRENT : Ic
(mA)
Ta
=25°C
VCE
=10V
Fig.14 Gain bandwidth product
vs. collector current
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N4401TPE2 | 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N4401TPE1 | 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N4401 | 800 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N4401 | 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226AA |
| 2N4401/E6 | 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226AA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2N4401TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N4401TA_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N4401TAR | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N4401TE | 制造商:Allegro MicroSystems LLC 功能描述:TRANSISTOR, BJT, NPN, 40V V(BR) |
| 2N4401TF | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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