- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄142673 > 2N4401T/R (NXP SEMICONDUCTORS) 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | 2N4401T/R |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | PLASTIC, SC-43A, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 57K |
| 代理商： | 2N4401T/R |
2004 Oct 28
3
Philips Semiconductors
Product specication
NPN switching transistor
2N4401
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1. Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
CHARACTERISTICS
Tamb =25 °C unless otherwise specied.
Note
1. Pulse test: tp ≤ 300 s; δ≤ 0.02.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
Rth(j-a)
thermal resistance from junction to ambient
note 1
200
K/W
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
ICBO
collector-base cut-off current
VCB =60V; IE =0 A
50
nA
IEBO
emitter-base cut-off current
VEB =6V; IC =0 A
50
nA
hFE
DC current gain
IC = 0.1 mA
20
IC = 1 mA
40
IC =10mA
80
100
300
40
VCEsat
collector-emitter saturation voltage
400
mV
750
mV
VBEsat
base-emitter saturation voltage
950
mV
1.2
V
Cc
collector capacitance
VCB =5V; IE =ie = 0 A; f = 1 MHz
6.5
pF
Ce
emitter capacitance
VEB = 500 mV; IC =ic = 0 A;
f = 1 MHz
30
pF
fT
transition frequency
VCE =10V; IC = 20 mA; f = 100 MHz 250
MHz
Switching times (between 10 % and 90 % levels); see Fig.3
ton
turn-on time
ICon = 150 mA; IBon = 15 mA;
IBoff = 15 mA
35
ns
td
delay time
15
ns
tr
rise time
20
ns
toff
turn-off time
250
ns
ts
storage time
200
ns
tf
fall time
60
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N4928CSM-JQR-BG4 | 100 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2N4928CSM-JQRG4 | 100 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2N4928CSM-JQR-A | 100 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2N4928CSM-JQR | 100 mA, 100 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SK3233 | 5 A, 500 V, 1.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2N4401ZL1 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:General Purpose Transistors |
| 2N4402 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TO-92 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N4402/D | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:General Purpose Transistors PNP |
| 2N4402_01 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:PNP General Purpose Amplifier |
| 2N4402_D26Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。