參數(shù)資料
型號(hào)： 2N4401RL1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： CASE 29-11, TO-226AA, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/5頁(yè)
文件大?。?/td> 199K
代理商： 2N4401RL1
2N4401
http://onsemi.com
43
6.0
8.0
10
0
4.0
2.0
0.1
2.0 5.0
10 20
50
1.0
0.5
0.2
0.01 0.02 0.05
100
Figure 9. Frequency Effects
f, FREQUENCY (kHz)
SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS
NOISE FIGURE
VCE = 10 Vdc, TA = 25°C; Bandwidth = 1.0 Hz
NF
,NOISE
FIGURE
(dB)
IC = 1.0 mA, RS = 150
IC = 500 A, RS = 200
IC = 100 A, RS = 2.0 k
IC = 50 A, RS = 4.0 k
RS = OPTIMUM
RS = SOURCE
RS = RESISTANCE
100k
50
100 200
500 1.0k 2.0k 5.0k 10k 20k
50k
6.0
8.0
10
0
4.0
2.0
NF
,NOISE
FIGURE
(dB)
Figure 10. Source Resistance Effects
RS, SOURCE RESISTANCE (OHMS)
f = 1.0 kHz
IC = 50 A
IC = 100 A
IC = 500 A
IC = 1.0 mA
h PARAMETERS
VCE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz, TA = 25°C
This group of graphs illustrates the relationship between
hfe and other “h” parameters for this series of transistors. To
obtain these curves, a high–gain and a low–gain unit were
selected from the 2N4401 lines, and the same units were
used to develop the correspondingly numbered curves on
each graph.
Figure 11. Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
0.1
0.2
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
10
0.3
100
200
20
70
50
300
h fe
,CURRENT
GAIN
h ie
,INPUT
IMPEDANCE
(OHMS)
Figure 12. Input Impedance
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
50k
500
30
5.0 7.0
20k
10k
5.0k
2.0k
1.0k
0.1
0.2
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
10
0.3
5.0 7.0
Figure 13. Voltage Feedback Ratio
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
0.1
0.2
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
10
0.3
0.2
10
Figure 14. Output Admittance
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
100
1.0
5.0 7.0
50
20
10
5.0
2.0
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
h
,OUTPUT
ADMITT
ANCE
(
mhos)
oe
h
,VOL
TAGE
FEEDBACK
RA
TIO
(X
10
)
re
m
-4
2N4401 UNIT 1
2N4401 UNIT 2
2N4401 UNIT 1
2N4401 UNIT 2
2N4401 UNIT 1
2N4401 UNIT 2
2N4401 UNIT 1
2N4401 UNIT 2
0.1
0.2
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
10
0.3
5.0 7.0
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N4401T93 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N4401TPE2 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N4401TPE1 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N4401 800 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N4401 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N4401RLRA 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N4401RLRAG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N4401RLRM 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N4401RLRMG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N4401RLRP 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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