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參數(shù)資料
| 型號： | 2N4341 |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | N-Channel JFET(最小柵源擊穿電壓-50V，最大飽和漏極電流9mA的N溝道結(jié)型場效應(yīng)管) |
| 中文描述： | N溝道場效應(yīng)（最小柵源擊穿電壓- 50V的最大飽和漏極電流九毫安的N溝道結(jié)型場效應(yīng)管） |
| 文件頁數(shù)： | 5/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 73K |
| 代理商： | 2N4341 |
2N4338/4339/4340/4341
Siliconix
P-37408—Rev. D, 04-Jul-94
5
Typical Characteristics (Cont’d)
Transfer Characteristics
500
0
–0.3
–0.2
–0.1
–0.4
–0.5
400
300
200
100
0
V
GS
– Gate-Source Voltage (V)
T
A
= –55 C
125 C
V
GS(off)
= –0.7 V
V
DS
= 10 V
25 C
1.5
0
–0.3
–0.4
–0.2
–0.1
–0.5
1.2
0.9
0.6
0.3
0
Transconductance vs. Gate-Source Voltage
V
GS(off)
= –0.7 V
T
A
= –55 C
125 C
g
f
V
GS
– Gate-Source Voltage (V)
V
DS
= 10 V
f = 1 kHz
25 C
2
0
–1.2
–1.6
–2
–0.8
–0.4
1.6
1.2
0.8
0.4
0
Transfer Characteristics
V
GS
– Gate-Source Voltage (V)
–
I
D
T
A
= –55 C
125 C
V
GS(off)
= –1.5 V
25 C
V
DS
= 10 V
4
–1.2
–2
–1.6
–0.8
–0.4
0
3.2
2.4
1.6
0.8
0
Transconductance vs. Gate-Source Voltage
V
GS(off)
= –1.5 V
T
A
= –55 C
125 C
g
f
V
GS
– Gate-Source Voltage (V)
25 C
V
DS
= 10 V
f = 1 kHz
0.1
1
0.01
0.01
0.1
1
200
160
120
80
40
0
2000
1600
1200
800
400
0
A
V
–
I
D
– Drain Current (mA)
A
V
g
fs
R
L
R
L
g
os
1
R
L
10 V
I
D
Assume V
DD
= 15 V, V
DS
= 5 V
V
GS(off)
= –0.7 V
–1.5 V
Circuit Voltage Gain vs. Drain Current
On-Resistance vs. Drain Current
I
D
– Drain Current (mA)
T
A
= 25 C
V
GS(off)
= –0.7 V
–1.5 V
–
I
D
A
r
D
–
)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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