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參數(shù)資料
| 型號： | 2N4232 |
| 廠商： | MICROSEMI CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66 |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 71K |
| 代理商： | 2N4232 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6235 | 5 A, 325 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66 |
| 2N6077 | 7 A, 275 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66 |
| 2N4297 | 1 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66 |
| 2N4232 | 3 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66 |
| 2N4298 | 1 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2N4232A | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 60V 5A 3PIN TO-66 - Bulk |
| 2N4233 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 80V 5A 3PIN TO-66 - Bulk |
| 2N4233A | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 80V 5A 3PIN TO-66 - Bulk |
| 2N4234 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Gen Pur SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N4235 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Power SW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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