參數(shù)資料
型號(hào)： 2N4126D74Z
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 200 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
文件頁數(shù)： 11/15頁
文件大?。?/td> 532K
代理商： 2N4126D74Z
2N
4126
/
MMBT
4126
Typical Characteristics (continued)
PNP General Purpose Amplifier
(continued)
Input Impedance
0.1
1
10
0.1
1
10
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
h
-
I
N
PU
T
I
M
PED
ANC
E
(k
)
V
= 10 V
CE
C
ie
f = 1.0 kHz
Output Admittance
0.1
1
10
100
1000
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
h
-
O
U
TPU
T
A
D
M
IT
T
A
N
C
E
(
m
h
os
)
V
= 10 V
CE
C
oe
f = 1.0 kHz
Current Gain
0.1
1
10
20
50
100
200
500
1000
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
h
-C
U
R
E
N
T
G
A
IN
V
= 10 V
CE
C
fe
f = 1.0 kHz
Voltage Feedback Ratio
0.1
1
10
1
10
100
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
h
-
V
O
L
T
A
G
E
F
E
D
B
A
C
K
R
A
T
IO
(
x
1
0
)
C
re
_
4
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N4126D26Z 200 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N4223 Si, RF SMALL SIGNAL, FET, TO-72
2N5668 Si, RF SMALL SIGNAL, FET, TO-92
2N5248 Si, RF SMALL SIGNAL, FET, TO-92
2N4224 Si, RF SMALL SIGNAL, FET, TO-72
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參數(shù)描述
2N4126T/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-92
2N4126TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N4126TAR 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N4126TAR_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N4126TF 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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