參數(shù)資料
型號(hào)： 2N4126/E7
廠商： GENERAL SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 200 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226AA
封裝： PLASTIC, TO-92, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大?。?/td> 126K
代理商： 2N4126/E7
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N4236X-QR-BR1 3 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-205AD
2N4258 Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2N4305 5 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-5
2N4395 5 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA
2N4398 30 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N4126T/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-92
2N4126TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N4126TAR 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N4126TAR_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N4126TF 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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