參數(shù)資料
型號(hào)： 2N3906/E6
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226AA
封裝： PLASTIC, TO-92, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/3頁(yè)
文件大?。?/td> 37K
代理商： 2N3906/E6
2N3906
Vishay Semiconductors
formerly General Semiconductor
www.vishay.com
Document Number 88114
2
07-May-02
Electrical Characteristics (TJ = 25°C unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
-VCE = 1 V, -IC = 0.1 mA
60
——
-VCE = 1 V, -IC = 1 mA
80
——
DC Current Gain
hFE
-VCE = 1 V, -IC = 10 mA
100
—
300
—
-VCE = 1 V, -IC = 50 mA
60
——
-VCE = 1 V, -IC = 100 mA
30
——
Collector-Emitter Cutoff Current
-ICEV
-VEB = 3 V, -VCE = 30 V
——
50
nA
Emitter-Base Cutoff Current
-IEBV
-VEB = 3 V, -VCE = 30 V
——
50
nA
Collector Saturation Voltage
-VCEsat
-IC = 10 mA, -IB = 1 mA
——
0.25
V
-IC = 50 mA, -IB = 5 mA
——
0.4
Base Saturation Voltage
-VBEsat
-IC = 10 mA, -IB = 1 mA
——
0.85
V
-IC = 50 mA, -IB = 5 mA
——
0.95
Collector-Emitter Breakdown Voltage
-V(BR)CEO
-IC = 1 mA, IB = 0
40
——
V
Collector-Base Breakdown Voltage
-V(BR)CBO
-IC = 10
A, IE = 0
40
——
V
Emitter-Base Breakdown Voltage
-V(BR)EBO
-IE = 10
A, IC = 0
5
——
V
Input Impedance
hie
-VCE = 10 V, -IC = 1 mA,
1
—
10
k
f = 1 kHz
Voltage Feedback Ratio
hre
-VCE = 10 V, -IC = 1 mA,
0.5 10-4
—
8 10-4
—
f = 1 kHz
Current Gain-Bandwidth Product
fT
-VCE = 20 V, -IC = 10 mA
250
——
MHz
f = 100 MHz
Collector-Base Capacitance
CCBO
-VCB = 5 V, f = 100 kHz
——
4.5
pF
Emitter-Base Capacitance
CEBO
-VEB = 0.5 V, f = 100 kHz
——
10
pF
Small Signal Current Gain
hfe
-VCE = 10 V, -IC = 1 mA
100
—
400
—
f = 1 kHz
Output Admittance
hoe
-VCE = 1 V, -IC = 1 mA
1
—
40
S
f = 1 kHz
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N3906CSM-SQR-A 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2N3906CSM 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2N3906O-BP 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N3906G 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N3906Y-BP 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N3906G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N3906-G 功能描述:二極管 - 通用，功率，開(kāi)關(guān) -40V -200mA TO-92 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時(shí)間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
2N3906G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor
2N3906GE8487 制造商:GE 功能描述:2N3906
2N3906G-T92-B 制造商:UTC-IC 制造商全稱(chēng):UTC-IC 功能描述:GENERAL PURPOSE APPLIATION
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