參數(shù)資料
型號(hào)： 2N3904
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： NPN switching transistor( NPN開關(guān)晶體管)
中文描述： 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： PLASTIC, SC-43A, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 45K
代理商： 2N3904
1999 Apr 23
3
Philips Semiconductors
Product specification
NPN switching transistor
2N3904
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
CHARACTERISTICS
T
amb
= 25
°
C.
Note
1.
Pulse test: t
p
≤
300
μ
s;
δ ≤
0.02.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-a
thermal resistance from junction to ambient
note 1
250
K/W
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
I
CBO
I
EBO
h
FE
collector cut-off current
emitter cut-off current
DC current gain
I
E
= 0; V
CB
= 30 V
I
C
= 0; V
EB
= 6 V
V
CE
= 1 V; note 1
I
C
= 0.1 mA
I
C
= 1 mA
I
C
= 10 mA
I
C
= 50 mA
I
C
= 100 mA
I
C
= 10 mA; I
B
= 1 mA; note 1
I
C
= 50 mA; I
B
= 5 mA; note 1
I
C
= 10 mA; I
B
= 1 mA; note 1
I
C
= 50 mA; I
B
= 5 mA; note 1
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 5 V; f = 1 MHz
I
C
= i
c
= 0; V
EB
= 500 mV; f = 1 MHz
I
C
= 10 mA; V
CE
= 20 V; f = 100 MHz
I
C
= 100
μ
A; V
CE
= 5 V; R
S
= 1 k
;
f = 10 Hz to 15.7 kHz
50
50
nA
nA
60
80
100
60
30
300
300
200
200
850
950
4
8
5
V
CEsat
collector-emitter saturation voltage
mV
mV
mV
mV
pF
pF
MHz
dB
V
BEsat
base-emitter saturation voltage
C
c
C
e
f
T
F
collector capacitance
emitter capacitance
transition frequency
noise figure
Switching times (between 10% and 90% levels);
see Fig.2
t
on
t
d
t
r
t
off
t
s
t
f
turn-on time
delay time
rise time
turn-off time
storage time
fall time
I
Con
= 10 mA; I
Bon
= 1 mA;
I
Boff
=
1 mA
65
35
35
240
200
50
ns
ns
ns
ns
ns
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N3904 GENERAL PURPOSE NPN TRANSISTOR FOR HIGH RELIABILITY APPLICATIONS
2N3904 General Purpose NPN Transistor For High Reliability Application(通用外延平面NPN晶體管（高可靠性）)
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參數(shù)描述
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2N3904(TE2,T) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
2N3904,116 功能描述:TRANS NPN SW HS 200MA 40V TO92 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2N3904,412 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS SW BULK STR LEAD RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N3904 制造商:UNBRANDED 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-92 制造商:NTE Electronics 功能描述:RF TRANSISTOR, NPN, 40V, 250MHZ
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