參數(shù)資料
型號： 2N3903D27Z
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
文件頁數(shù)： 4/11頁
文件大小： 578K
代理商： 2N3903D27Z
2N3903
NPN General Purpose Amplifier
(continued)
Electrical Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
OFF CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
V(BR)CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage*
IC = 1.0 mA, IB = 0
40
V
V(BR)CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
IC = 10
A, I
E = 0
60
V
V(BR)EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
IE = 10
A, I
C = 0
6.0
V
ICEX
Collector Cutoff Current
VCE = 30 V, VOB = 3.0 V
50
nA
IBL
Base Cutoff Current
VCE = 30 V, VOB = 3.0 V
50
nA
ON CHARACTERISTICS*
hFE
DC Current Gain
VCE = 1.0 V, IC = 0.1 mA
VCE = 1.0 V, IC = 1.0 mA
VCE = 1.0 V, IC = 10 mA
VCE = 1.0 V, IC = 50 mA
VCE = 1.0 V, IC = 100 mA
20
35
50
30
15
150
VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
IC = 10 mA, IB = 1.0 mA
IC = 50 mA, IB = 5.0 mA
0.2
0.3
V
VBE(sat)
Base-Emitter Saturation Voltage
IC = 10 mA, IB = 1.0 mA
IC = 50 mA, IB = 5.0 mA
0.65
0.85
0.95
V
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
Cob
Output Capacitance
VCB = 5.0 V, f = 100 kHz
4.0
pF
Cib
Input Capacitance
VEB = 0.5 V, f = 100 kHz
8.0
pF
hfe
Small-Signal Current Gain
IC = 10 mA, VCE = 20 V,
f = 100 MHz
2.5
hfe
Small-Signal Current Gain
VCE = 10 V, IC = 1.0 mA
50
200
hie
Input Impedance
f = 1.0 kHz
1.0
8.0
k
hre
Voltage Feedback Ratio
0.1
5.0
x 10
-4
hoe
Output Admittance
1.0
40
mhos
NF
Noise Figure
VCE = 5.0 V, IC = 100
A,
RS = 1.0 k
,
BW = 10 Hz to 15.7 kHz
6.0
dB
SWITCHING CHARACTERISTICS
*Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 s, Duty Cycle ≤ 2.0%
td
Delay Time
VCC = 3.0 V, IC = 10 mA,
35
ns
tr
Rise Time
IB1 = 1.0 mA , Vob ( off ) = 0.5 V
35
ns
ts
Storage Time
VCC = 3.0 V, IC = 10 mA
175
ns
tf
Fall Time
IB1 = IB2 = 1.0 mA
50
ns
z
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PDF描述
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