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參數(shù)資料
| 型號： | 2N3863 |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 7.5 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 50K |
| 代理商： | 2N3863 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N3734-JQR-BE1 | 1500 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-205AD |
| 2N3734-JQR-B | 1500 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-205AD |
| 2N3734 | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 |
| 2N3790 | 10 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 2N3791 | 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
相關代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2N3864 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 90V V(BR)CEO | 8UA I(C) | TO-3 |
| 2N3865 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 150V V(BR)CEO | 7.5A I(C) | TO-3 |
| 2N3866 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN VHF/UHF AM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N3866 | 制造商:Solid State Devices Inc (SSDI) 功能描述:RF POWER TRANS NPN 30V 800MHZ TO39 制造商:SOLID STATE 功能描述:RF POWER TRANS, NPN 30V 800MHZ TO39 |
| 2N3866_1 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:NPN SILICON HIGH-FREQUENCY TRANSISTOR |
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