參數(shù)資料
型號(hào)： 2N3771
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： High Power NPN Silicon Power Transistor(30A,40V（集電極-發(fā)射極）,150W，硅NPN大功率晶體管)
中文描述： 30 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA
封裝： CASE 1-07, TO-3, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大?。?/td> 140K
代理商： 2N3771
2N3771 2N3772
http://onsemi.com
3
*DYNAMIC CHARACTERISTICS
(1) Pulse Test: 300
μ
s, Rep. Rate 60 cps.
OFF CHARACTERISTICS
*Collector
Emitter Sustaining Voltage (1)
C
B
2N3771
Collector
Emitter Sustaining Voltage
2N3771
V
CEO(sus)
40
—
Vdc
2N3772
50
—
Vdc
(I
= 0.2 Adc, R
= 100 Ohms)
2N3771
70
—
*Collector Cutoff Current
(V
CE
= 30 Vdc, I
B
= 0)
(V
= 25 Vdc, I
= 0)
2N6257
I
—
10
mAdc
*Collector Cutoff Current
CE
EB(off)
(V
= 45 Vdc, V
= 1.5 Vdc)
CE
EB(off)
C
(V
CE
= 45 Vdc, V
EB(off)
= 1.5 Vdc, T
C
= 150 C)
I
CEV
—
—
2.0
10
mAdc
*Collector Cutoff Current
CB
E
2N3771
2N3772
I
CBO
—
2.0
mAdc
(V
= 5.0 Vdc, I
= 0)
BE
C
—
5.0
*ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain (1)
(I
= 10 Adc, V
= 4.0 Vdc)
(I
C
= 8.0 Adc, V
CE
= 4.0 Vdc)
(I
C
= 20 Adc, V
CE
= 4.0 Vdc)
2N3772
2N3772
h
—
C
B
(I
C
= 20 Adc, I
B
= 4.0 Adc)
—
—
2.0
4.0
Base
Emitter On Voltage
C
CE
(I
C
= 8.0 Adc, V
CE
= 4.0 Vdc)
V
BE(on)
—
2.7
Vdc
Current
Gain — Bandwidth Product
C
CE
test
f
0.2
—
MHz
fe
SECOND BREAKDOWN
(V
CE
= 40 Vdc)
3.75
—
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N3772 High Power NPN Silicon Power Transistor(20A,60（集電極-發(fā)射極）V,150W，硅NPN大功率晶體管)
2N3773 Complementary Silicon Power Transistor(16A,140V（集電極-發(fā)射極）,150W，補(bǔ)償型，硅NPN功率晶體管)
2N3821 TECHNICAL DATA
2N3822 TECHNICAL DATA
2N3821 N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor
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參數(shù)描述
2N3771 制造商:STMicroelectronics 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-3
2N3771/D 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:High Power NPN Silicon Power Transistors
2N3771_00 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:HIGH POWER NPN SILICON TRANSISTOR
2N3771_06 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:High Power NPN Silicon Power Transistors
2N3771G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 30A 40V 150W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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