參數(shù)資料
型號(hào)： 2N3752
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 5 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-111
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大小： 66K
代理商： 2N3752
844035 5
SPAC E
POWER'~~LECTRONTCS~
SPACE POWER ELECTRONICS
89C~T)011TJ
D<32.M i
DE|ALIMOBSS ODDIID
i |
Hi-Rel PLANAR POWER—10 AMP PtSP
.47 0
f*^
MAX -*<
.50 0
.050MAX. NOTE 2
L
NOTE 2
i .08 0
.07 6
.26 0
7340
.360 MIN .
- .96 8
~ .962
I , .670
r
.690
'
ifTO.66
.36 0 R .
NOTES FOR T066!
1.
Dimension
does not includ e
sealin g
flanges .
2.
The outlin e
contour i s optiona l
withi n
zone define d
by these
dimensions.
TO-3
TO-111
TO-5
80W@T =100°C
40W@T =100°C
5W@T=100°C
u
(
J
0
TO-61
TO-61*
TO-66
50W@T =100°C7
50W@T.=100°G
40W@T =100°C
C
0
c
TYP E
CAS E
Breakdow n
Voltage s
V
C B
V
C E
V
E B
V
C E
h
F E
I C
A
Min .
Max .
Cutof f
Curren t
V
C
B
(uA )
2N378 9
TO-3
-6 0
-7. 0
-2
- 1 .0
2 0
9 0
-6 0
5mA
2N379 0
TO-3
.-80
-8 0
-7. 0
-2
- 1 .0
25
9 0
-8 0
5 mA
2N379 1
TO-3
-6 0
-7. 0
-2
- 1 .0
25
18 0
-6 0
5 mA
2N379 2
TO-3
-8 0
-7. 0
-2
- 1 .0
5 0
18 0
-8 0
5 mA
2N500 3
TO-111
-10 0
-8 0
-5. 5
-5
-2 .5
3 0
9 0
-8 0
1mA
2N500 5
TO-111
-10 0
-8 0
-5. 5
-5
-2 .5
7 0
20 0
-8 0
1mA
2N500 7
TO-61 * -10 0
-8 0
-5. 5
-5
-5 .0
3 0
9 0
-8 0
1mA
2N500 9
TO-61 * -10 0
-8 0
-5. 5
-5
-5 .0
7 0
20 0
-8 0
1mA
2N515 1
TO-5
-10 0
-8 0
-5. 5
-5
-2 . 5
3 0
9 0
-8 0
1mA
2N515 3
TO-5
-10 0
-8 0
-5 . 5
-5
-2 .5
7 0
20 0
-8 0
1mA
2N528 6
TO-111
-10 0
-5. 5
-5
-2 .5
3 0
9 0
-8 0
1mA
2N528 7
TO-H I
-10 0
-5. 5
-5
-2 .5
70
20 0
-8 0
1mA
2N529 0
TO-61 * -10 0
-10 0
-5. 5
-5
-5 .0
3 0
9 0
-8 0
1mA
2N529 1
TO-61* -10 0
-10 0
-5 . 5
-5
-5 .0
7 0
20 0
-8 0
1mA
2N531 2
TO-61*
-8 0
-6. 0
-5
-1 0 .0
3 0
9 0
-8 0
1 0
2N531 4
TO-61* -10 0
-10 0
-6. 0
-5
-1 0 .0
3 0
9 0
-10 0
1 0
2N531 6
TO-61 *
-8 0
-6. 0
-5
-5 .0
3 0
9 0
-8 0
1 0
2N531 8
TO-61 * -10 0
-10 0
~6 .0
- 5
-5 .0
3 0
9 0
-10 0
1 0
2N538 6
TO-6 1
-10 0
-8 0
-6. 0
- 4
-6 .0
2 0
8 0
-10 0
1 0
2N567 7
TO-6 1
-12 5
-10 0
-6. 0
- 5
- 5 .0
3 0
9 0
-12 5
1.0
2N573 7
TO-3
-6 0
-5. 0
-5
-5 .0
2 0
8 0
-4 0
50 0
2N573 8
TO-3
-10 0
-5. 0
-5
-5 .0
2 0
8 0
-8 0
50 0
2N573 9
TO-6 6
-6 0
-5. 0
-5
-5 .0
2 0
8 0
-4 0
50 0
2N574 0
TO-6 6
-10 0
-5. 0
-5
-5 .0
2 0
8 0
-8 0
50 0
2N585 3
TO-6 1
-10 0
-8 0
-6. 0
-5
-5 .0
3 0
9 0
-6 0
50 0
2N585 4
TO-6 1
-10 0
-8 0
-6. 0
-5
-5 .0
3 0
9 0
-6 0
50 0
*A11 leads electricall y
isolate d from case
FOR
DETAILED SPECIFICATIONS
CONTACT ENGINEERING
IPN= 8440355 0000111 171
-15-
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N3749 5 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-111
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2N3752 5 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2N3850 5 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-59
2N2880 5 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-111
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2N3756 制造商:NJSEMI 制造商全稱:New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 功能描述:SILICON CONTROLLED RECTIFIER
2N376 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-3
2N3762 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT PNP 40V 1.5A 3PIN TO-39 - Bulk 制造商:n/a 功能描述:2N3762JAN 制造商:Motorola Inc 功能描述:
2N3762L 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT PNP 40V 1.5A 3PIN TO-5 - Bulk
2N3763 功能描述:兩極晶體管 - BJT Small Signal RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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