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參數(shù)資料
| 型號： | 2N3713 |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 10 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 封裝： | CASE 11-01, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 388K |
| 代理商： | 2N3713 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N3714 | 10 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 2N3714SMD | 10 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-276AB |
| 2N3719.MODR1 | 3 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-205AD |
| 2N3719R1 | 3 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-205AD |
| 2N3719CECC-A | 3 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-39 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2N3713 LEADFREE | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN GP Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N3713_12 | 制造商:COMSET 制造商全稱:Comset Semiconductor 功能描述:EPITAXIAL-BASE TRANSISTORS |
| 2N3713SMD | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed |
| 2N3714 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN GP Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N3714SMD | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed |
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