參數(shù)資料
型號: 2N3704/D10Z
廠商: NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 500 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
文件頁數(shù): 5/9頁
文件大小: 719K
代理商: 2N3704/D10Z
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N3702/J18Z 200 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N3704/J18Z 500 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N4124/J18Z 200 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2N930 200 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18
2N6714/D10Z 1000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-237
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N3705 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 30V 800mA BULK HFE/150 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N3705 制造商:UNBRANDED 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-92
2N3706 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 20V 800mA BULK HFE/800 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N3707 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Gen Pur SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N3708 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Gen Pur SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2