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參數(shù)資料
| 型號： | 2N3662 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 25MA I(C) | TO-98 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 12V的五（巴西）總裁| 25mA電流一（c）|至98 |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 322K |
| 代理商： | 2N3662 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N5182 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 4MA I(C) | TO-104 |
| 2N5180 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | TO-72 |
| 2SC929 | Low-Power, SC70/SOT µP Reset Circuits with Capacitor-Adjustable Reset Timeout Delay |
| 2SC477 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 32V V(BR)CEO | 30MA I(C) | TO-18 |
| 2SC817 | Low-Power, Single/Dual-Voltage µP Reset Circuits with Capacitor-Adjustable Reset Timeout Delay |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2N3663 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN RF 12V 50mA BULK RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| 2N3663_01 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN RF Transistor |
| 2N3663_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN RF 12V 50mA BULK RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N3665 | 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:Small Signal Transistors |
| 2N3666 | 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:Small Signal Transistors |
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