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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2N3491 |
| 元件分類(lèi)： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 5 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-61 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/1頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 79K |
| 代理商： | 2N3491 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| 2N3488 | 3 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-61 |
| 2N2813 | 5 A, 70 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-61 |
| 2N4002 | 30 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-63 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| 2N3494 | 制造商:RAYTHEON 制造商全稱(chēng):RAYTHEON 功能描述:Medium Current General Purpose Amplifiers and Switches |
| 2N3495 | 制造商:CENTRAL 制造商全稱(chēng):Central Semiconductor Corp 功能描述:Small Signal Transistors |
| 2N3496 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:2N3496 - Bulk |
| 2N3497 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Ampl/Switch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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