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參數(shù)資料
| 型號： | 2N3227UB |
| 廠商： | SEMICOA CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | HERMETIC SEALED, CERAMIC, CERSOT-3 |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大小： | 234K |
| 代理商： | 2N3227UB |
2SB1125 / 2SD1625
No.2017-2/4
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Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
DC Current Gain
hFE1VCE=(--)2V, IC=(--)50mA
5000
hFE2VCE=(--)2V, IC=(--)500mA
(3000)4000
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE=(--)5V, IC=(--)50mA
(170)200
MHz
Output Capacitance
Cob
VCB=(--)10V, f=1MHz
(18)9
pF
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=(--)100mA, IB=(--)0.1mA
(--)0.8
(--)1.2
V
Base-to-Emitterr Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=(--)100mA, IB=(--)0.1mA
(--)1.3
(--)2.0
V
Collector-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC=(--)10μA, IE=0A
(--)80
V
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC=(--)1mA, RBE=∞
(--)50
V
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE=(--)10μA, IC=0A
(--)10
V
Package Dimensions
Electrical Connection
unit : mm (typ)
7007B-004
IC -- VCE
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
mA
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
mA
2SD1625
IB=0μA
ITR08924
600
500
300
400
200
100
0
02
6
5
4
13
5
μA
30μ
A
25μ
A
20μ
A
15μA
10
μA
--800
--700
--500
--300
--600
--400
--200
--100
0
--2
--7
--5
--6
--4
--1
--3
--5
μA
--10μA
--15μA
--20μA
--25μA
--30
μA
--35
μA
IB=0μA
ITR08923
2SB1125
C
E
B
2SD1625
C
E
B
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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