- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄366214 > 2N3055G (ON SEMICONDUCTOR) Complementary Silicon Power Transistors PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2N3055G |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Complementary Silicon Power Transistors |
| 中文描述： | 15 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
| 封裝： | LEAD FREE, CASE 1-07, TO-3, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 167K |
| 代理商： | 2N3055G |
A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N3055H | Complementary Silicon Power Transistors |
| 2N3055 | 15 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 60 VOLTS 115 WATTS |
| 2N3055_MJ2955 | 15 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 60 VOLTS 115 WATTS |
| 2N3055A | 15 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 60, 120 VOLTS 115, 180 WATTS |
| 2N3055 | NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2N3055H | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 15A 60V 115W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N3055H | 制造商:SPC Multicomp 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-3 制造商:UNBRANDED 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-3 |
| 2N3055HG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 15A 60V 115W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N3055HV | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TO-3 Power Package Transistors (NPN) |
| 2N3055J | 制造商: 功能描述: |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。