參數(shù)資料
型號(hào): 2N3055ECECC
廠商: SEMELAB LTD
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 15 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3
封裝: TO-3, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù): 1/1頁(yè)
文件大?。?/td> 66K
代理商: 2N3055ECECC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N3351G4 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-77
2N3421ALCC4 5000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2N3209L 200 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2N3347G4 30 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-77
2N3167.MOD 3 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N3055ESMD 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed
2N3055G 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 15A 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N3055H 功能描述:兩極晶體管 - BJT 15A 60V 115W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N3055H 制造商:SPC Multicomp 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-3 制造商:UNBRANDED 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-3
2N3055HG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 15A 60V 115W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2