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參數資料
| 型號： | 2N30556 |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | TO-3 Power Package Transistors (NPN) |
| 中文描述： | 至3功率封裝晶體管（NPN）的 |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 167K |
| 代理商： | 2N30556 |
A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N3055HV | TO-3 Power Package Transistors (NPN) |
| 2N3055G | Complementary Silicon Power Transistors |
| 2N3055H | Complementary Silicon Power Transistors |
| 2N3055 | 15 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 60 VOLTS 115 WATTS |
| 2N3055_MJ2955 | 15 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 60 VOLTS 115 WATTS |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N3055A | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 15A 60V 115W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N3055A/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Complementary Silicon High-Power Transistor |
| 2N3055A_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Silicon High-Power Transistors |
| 2N3055AG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 15A 60V 115W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N3055C | 制造商:NJSEMI 制造商全稱:New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 功能描述:N-P-N SILICON POWER TRANSISTOR |
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