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參數資料
| 型號： | 2N3031 |
| 廠商： | MICROSEMI CORP-LAWRENCE |
| 元件分類： | 晶閘管 |
| 英文描述： | Tubular Radial Lead Capacitor |
| 中文描述： | 0.785 A, 60 V, SCR, TO-18 |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 301K |
| 代理商： | 2N3031 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N3032 | Tubular Radial Lead Capacitor |
| 2N3043 | DUAL AMPLIFIER TRANSISTOR |
| 2N3044 | DUAL AMPLIFIER TRANSISTOR |
| 2N3045 | DUAL AMPLIFIER TRANSISTOR |
| 2N3048 | DUAL AMPLIFIER TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N3032 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Thyristor SCR 100V 8A 3-Pin TO-18 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:THYRISTOR SCR 100V 8A 3PIN TO-18 - Bulk 制造商:Microsemi 功能描述:Thyristor SCR 100V 8A 3-Pin TO-18 |
| 2N3033 | 制造商:NJSEMI 制造商全稱:New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 功能描述:N-P-N EPITAXIAL MESA SILICON TRANSISTORS |
| 2N3034 | 制造商:NJSEMI 制造商全稱:New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 功能描述:N-P-N EPITAXIAL MESA SILICON TRANSISTORS |
| 2N3035 | 制造商:NJSEMI 制造商全稱:New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 功能描述:N-P-N EPITAXIAL MESA SILICON TRANSISTORS |
| 2N3036 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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